Máy Hàn Punair Mig350Dg

Sử dụng công nghệ inverter với sò công suất IGBT thế hệ mới nhập khẩu chính hãng từ mỹ, nhật cho hiệu suất cao và bền bỉ, đặc biệt rất tiết kiệm điện, máy hàn điện tử thương hiệu punair được đội ngũ kỹ sư thiết kế và gia công từ bo mạch đến vỏ và các phụ kiện trên các loại vật liệu cao cấp cho hiệu quả làm việc tốt và tính thẩm mỹ cao bền bit theo thời gian, đặc biệt tất cả các dòng máy hàn điện tử của punair bo mạch đều được phủ keo trống ăn mòn, ẩm và bủi rất phù hợp với môi trường nóng ẩm và khắc nghiệt ở việt nam, cam kết về chất lượng sản phẩm nên toàn bộ sản phẩm đều được bảo hành 24 tháng (2 năm) trong 3 tháng đầu 1 đổi 1 nếu phát sinh lỗi do nhà sản xuất

Cấu hình máy hàn điện tử MIG350DG

1. 
   

   IGBT Magna đơn MBQ60T65PES，8 cái

2. 
   

   Tụ điện 680uF,400V,Φ35*50,LP，4 cái

3. 
   

   Đi ốt phục hồi nhanh MUR6030DCT, 4 cái

4. 
   

   Máy biến áp đồng dạng tròn 100*60*20,1 cái

Phụ kiện máy hàn điện tửMIG350DG

1. SB-10-A- 1,350

2. Kẹp mát (500A, 35mm2*3m, DKJ-35-50)；

3. Kìm hàn điện （500A,35mm2*3m, DKJ-35-50）

4.Tay hàn QTB350A, 3 mét

Kích thước và cân nặng máy hàn điện tử MIG 350DG

Kích thước: 545*234*414mm
Khối lượng tịnh：25kg

Ưu điểm công nghệ IGBT trên máy hàn điện tửMIG350DG

- Cho phép việc đóng cắt dễ dàng, chức năng điều khiển nhanh chóng
- Chịu áp lớn hơn MOS, thường là 600V tới 1.5kV, một số loại lớn hơn thì hơi đặc biệt.
- Tải dòng lớn, cỡ xấp xỉ 1KA. Sụt áp bé và điều khiển bằng áp

- So với nhiều dòng máy hàn cơ trước đây thìmáy hàn điện tửhiện được ứng dụng công nghệ mới IGBT tiên tiến và hiện đại hơn rất nhiều. Vậy những ưu điểm vượttrội của máy hàn công nghệ IGBT là gì?

- Mối hàn đẹp và sáng hơn, không có xỉ vì dòng hàn cao hơn.
- Tiết kiệm điện năng hơn, dòng hàn ổn định.
- Trọng lượng nhẹ và dễ sử dụng.

Nguyên Lý Hoạt động:

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT gần giống với MOSFET, điểm khác nhau là nó có thêm lớp nối với Collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa Emiter (tương tự với cực gốc) với Collector (tương tự cực máng), mà không là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với Transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bằng một MOSFET.

Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với những hạt mang điện là những điện tử được hình thành, giống với cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía Collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base, Collector ở Transistor thường, và tạo nên dòng Collector.

máy hàn điện tử hàn que 4 ly

https://www.lazada.vn/products/may-han-dien-tu-punair-arc200-i369410045-s615188138.html?spm=a2o4n.searchlist.list.1.caef7756Xgf7SF&search=1