Máy Hàn Punair Arc200

Máy Hàn Que Điện Tử PUNAIR ARC200:

 sử dụng công nghệ inverter  với sò công suất IGBT thế hệ mới nhập khẩu chính hãng từ mỹ, nhật cho hiệu suất cao và bền bỉ, đặc biệt rất tiết kiệm điện, máy hàn điện tử thương hiệu punair được đội ngũ kỹ sư thiết kế và gia công từ bo mạch đến vỏ và các phụ kiện trên các loại vật liệu cao cấp cho hiệu quả làm việc tốt và tính thẩm mỹ cao bền bit theo thời gian, đặc biệt tất cả các dòng máy hàn điện tử của punair bo mạch đều được phủ keo trống ăn mòn, ẩm và bủi rất phù hợp với môi trường nóng ẩm và khắc nghiệt ở việt nam, cam kết về chất lượng sản phẩm nên toàn bộ sản phẩm đều được bảo hành 24 tháng (2 năm) trong 3 tháng đầu 1 đổi 1 nếu phát sinh lỗi do nhà sản xuất 

-Linh kiện nhập khẩu mỹ - nhật "sò công suất" 4 IGBTmagachip 60t65,4 Diode, 4 tụ 680UF cho dòng hàn chuẩn 200A hàn tốt với que hàn từ 3,2ly trở xuống cả que chịu lực.
(có thể hàn tốt với que 4ly thông thường nhưng không khuyến nghị dùng lâu dài và thường xuyên sẽ giảm tuổi thọ sử dụng).

Cấu Hình Máy Hàn Que Điện Tử PUNAIR ARC200 Cấu Hình

1.IGBT MANGACHIP 60T65ES，4 cái
2.Tụ điện 680uF, 400V, Φ30*60, LP，4 cái
3.Diode chỉnh lưu SFA66UP30DN, 4 cái
4.Máy biến áp đồng dạng tròn 63*35*30, bằng đồng, 1 cái, (biến áp chủ)

Uư Điểm Của Công Nghệ IGBT Trên Máy Hàn Điện Tử Punair ARC 200

- Cho phép việc đóng cắt dễ dàng, chức năng điều khiển nhanh chóng
- Chịu áp lớn hơn MOS, thường là 600V tới 1.5kV,  một số loại lớn hơn thì hơi đặc biệt.
- Tải dòng lớn, cỡ xấp xỉ 1KA. Sụt áp bé và  điều khiển bằng áp

- So với nhiều dòng máy hàn cơ trước đây thì máy hàn điện tử hiện được ứng dụng công nghệ mới IGBT tiên tiến và hiện đại hơn rất nhiều. Vậy những ưu điểm vượt      trội của máy hàn công nghệ IGBT là gì?

- Mối hàn đẹp và sáng hơn,  không có xỉ vì dòng hàn cao hơn.
- Tiết kiệm điện năng hơn, dòng hàn ổn định.
- Trọng lượng nhẹ và dễ sử dụng.

 Nguyên Lý Hoạt động:

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT gần giống với MOSFET, điểm khác nhau là nó có thêm lớp nối với Collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa Emiter (tương tự với cực gốc) với Collector (tương tự cực máng), mà không là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với Transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bằng một MOSFET.

Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với những hạt mang điện là những điện tử được hình thành, giống với cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía Collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base, Collector ở Transistor thường, và tạo nên dòng Collector.