Chip 4 Nm của Samsung và công nghệ EUV, GAAFET?

Công nghệ quả thật rất phát triển khi càng ngày những con chip càng trở nên nhỏ bé, từ bằng đầu ngón tay, đến hạt gạo, và sắp tới, Samsung dự kiến sẽ cho ra mắt chip 4 nanometer (nghĩa là 1/4 triệu milimeter). Và nếu độc quyền gã khổng lồ Hàn Quốc sẽ là độc quyền trong "sân chơi" chip siêu nhỏ này.

Những con chip 7nm được sản xuất bởi Samsung, TSMC và GlobalFoundries dự kiến được áp dụng vào thực tế trong năm sau, 2018, trong các bộ xử lý, mạch tích hợp IC hiệu quả hơn. Trong khi TSMC cho biết, họ đang nhắm đến thử nhiệm quy trình 5nm và năm 2019 và sản xuất sản phẩm thương mại vào 2020 hoặc hơn, thì Samsung cho biết họ sẽ sớm mang đến những sản phẩm với chip 6nm, 5nm, 4nm vào đầu năm 2020. Như vậy, Samsung đang là đối thủ dẫn đầu trong cuộc đua chip siêu nhỏ hiện nay, theo sau bởi TSMC.

Công nghệ EUV

Để đạt được mốc kích thước chỉ 5nm, 4nm, các nhà suản xuất phải áp dụng công nghệ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) và vượt ra ngoài thiết kế FinFET (Fin Field Effect Transistor). Trong đó công nghệ EUV sử dụng các bước sóng ngắn để khắc với độ chính xác cao ở các node nhỏ hơn. Hiện nay, mới chỉ có Samsung áp dụng công nghệ này cho những chip 7nm của mình, còn TSMC và GlobalFoundries vẫn gắn bó với kỹ thuật quang khắc chìm.

Công nghệ GAAFET

GAAFET (Get All Around Field Effect Transistor) đang là giải pháp tốt nhất được đưa ra để khắc phục thiết kế FinFET khó có thể mỏng hơn gây khả năng hiệu ứng tĩnh điện yếu hơn, biến đổi không mong muốn, ngăn không cho các bóng bán dẫn hoạt động kém hiệu quả.

GAAFET tăng diện tích bề mặt cổng bóng bán dẫn tiếp xúc kênh dẫn, bằng một kênh dẫn nano kẹp xuyên qua cổng, cho phép tạo mức điện dung lớn nhất khi ghép cổng và kênh.

Cảm ơn các bạn đã theo dõi, hãy cập nhật vatgia.com thường xuyên để xem các thông tin mới nhất về những con chip nhỏ chỉ vài NANOMETER đáng ngưỡng mộ này nhé.