Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4+ có gì mới?

Snapdragon là chon chip được đánh giá là tốt nhất hiện nay và sẽ được trang bị cho chiếc Samsung Galaxy S9 và Mi 7 vào đầu năm sau. Ngoài hiệu năng ấn tượng thì một điểm nữa mà khiến người dùng quann tâm tới Snapdragon 845 chính là công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4+.

Những tính năng mới có mặt ở Quick Charge 4+

1. Dual Charge:

Tính năng Dual Charge đã được Qualcomm giới thiệu ở những phiên bản trước đây nhưng ở Snapdragon lần này thì nõ đã được nâng cấp lên. Dòng điện khi đi qua máy có Dual Charge sẽ được chia làm hai nhanh giúp cho máy không bị nóng lên khi sạc và rút ngắn được thời gian sạc đáng kể. 

2. Intelligent Thermal Balancing 

Đây được coi là tính năng nâng cao của Dual Charge với mục đích chính là để điều hướng nguồn điện khi sạc máy đi theo con đường mát mẻ nhất để hạn chế sự tỏa nhiệt khi sạc và giảm bớt thời gian sạc máy. 

3. Tính năng an toàn

Quick Charge 4+ còn đảm bảo an toàn cho ngươi dùng nhờ vào khả năng kiểm soát nhiệt độ nguồn ra qua cổng USB Type-C nâng cao hơn so với Quick Charge 4.

Hiệu suất sạc pin sẽ được nâng thêm 30%

Với những tính năng vô cùng nổi bật và hữu dụng trên được trang bị cho công nghệ Quick Charge 4+ của Snapdragon 845 thì hứa hẹn con chip này sẽ đẩy được hiệu suất sạc pin lên 30%và tốc độ sạc được tăng thêm 15%.

Snapdragon 845 là con chip được đánh giá rất cao nhờ vào tốc độ xử lý tuyệt vời cũng như tính năng sạc nhanh Quick Charge 4+ tiên tiến nhất. Hãy cùng vatgia.com chờ đón những sản phẩm công nghệ sử dụng con chip này trong năm tới nhé.